VS6640AC Todos los transistores

 

VS6640AC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS6640AC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VS6640AC Datasheet (PDF)

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VS6640AC

VS6640AC 60V/2.8A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 71 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 89 m Enhancement mode I D 2.8 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOT23 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information

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History: TPW65R120M | PHP143NQ04T | BLM07N06-P

 

 
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