VS7N65AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS7N65AD
   Código: 7N65AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 132 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 660 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.8 V
   Carga de la puerta (Qg): 24 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS7N65AD

VS7N65AD Datasheet (PDF)

..1. Size:993K cn vanguard
vs7n65ad.pdf

VS7N65AD 660V/7A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 660 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.1 N-Channel10V Logic Level Control I D 7 A Enhancement mode TO-252 Low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS7N65AD TO-252 7N65AD 2500pcs/

7.1. Size:1012K cn vanguard
vs7n65af.pdf

VS7N65AF 650V/7A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 650 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.1 N-Channel10V Logic Level Control I D 7 A Enhancement mode TO-220F Low on-resistance RDS(on) @ VGS=10V Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS7N65AF TO-220F 7N65AF 50pcs/Tube

8.1. Size:393K silan
svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf