VS7N65AD Todos los transistores

 

VS7N65AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS7N65AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 132 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 660 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO252

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VS7N65AD datasheet

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VS7N65AD

VS7N65AD 660V/7A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 660 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.1 N-Channel 10V Logic Level Control I D 7 A Enhancement mode TO-252 Low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS7N65AD TO-252 7N65AD 2500pcs/

 7.1. Size:1012K  cn vanguard
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VS7N65AD

VS7N65AF 650V/7A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 650 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.1 N-Channel 10V Logic Level Control I D 7 A Enhancement mode TO-220F Low on-resistance RDS(on) @ VGS=10V Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS7N65AF TO-220F 7N65AF 50pcs/Tube

 8.1. Size:393K  silan
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VS7N65AD

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1 2 1 3 MOS TO-220F-3L 3 SVS7N65D(F)(MJ)(

 8.2. Size:393K  silan
 svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdf pdf_icon

VS7N65AD

SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2 SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1 SVS7N65F / 3

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