VS8068AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS8068AD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de VS8068AD MOSFET
VS8068AD Datasheet (PDF)
vs8068ad.pdf

VS8068AD80V/68A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 80 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement modeI D 68 A Very low on-resistance Fast SwitchingTO-252 High conversion efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type MarkinginformationVS8068AD TO-252 8068AD 250
Otros transistores... VS6412AE , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , 2SK3568 , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS .
History: APT80F60J | KI1400DL | HGB210N20S | SI4825DY | ME15N25 | CM8N65F | AP65SL190AP
History: APT80F60J | KI1400DL | HGB210N20S | SI4825DY | ME15N25 | CM8N65F | AP65SL190AP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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