VSO008N10MS Todos los transistores

 

VSO008N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSO008N10MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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VSO008N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  cn vanguard
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VSO008N10MS

VSO008N10MS 100V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part

 9.1. Size:1876K  cn vanguard
vso009n06ms-ga.pdf pdf_icon

VSO008N10MS

VSO009N06MS-GA65V/15A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D 15 A Fast Switching and High Efficiency 100% Avalanche testSOP8Part ID Package Type Marking PackingVSO009N06MS-GA SOP8 009N06MG 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth

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vso009n06ms-g.pdf pdf_icon

VSO008N10MS

VSO009N06MS-G 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 15 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information V

 9.3. Size:957K  cn vgsemi
vso007n04ms-g.pdf pdf_icon

VSO008N10MS

VSO007N04MS-G40V/22A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 5.4 m VitoMOS TechnologyI D 22 A Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSO007N04MS-G SOP8 007N04M 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth

Otros transistores... VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , IRF1407 , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC .

History: MTP1406M3 | STD5NK50Z-1 | 2SJ0398 | SSM6N48FU | 2026 | S70N08ZRN | CSD75207W15

 

 
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