VSO008N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSO008N10MS
   Código: 008N10M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1155 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VSO008N10MS

VSO008N10MS Datasheet (PDF)

..1. Size:799K cn vanguard
vso008n10ms.pdf

VSO008N10MS 100V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part

9.1. Size:1876K cn vanguard
vso009n06ms-ga.pdf

VSO009N06MS-GA65V/15A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D 15 A Fast Switching and High Efficiency 100% Avalanche testSOP8Part ID Package Type Marking PackingVSO009N06MS-GA SOP8 009N06MG 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth

9.2. Size:792K cn vanguard
vso009n06ms-g.pdf

VSO009N06MS-G 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 15 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information V

9.3. Size:957K cn vgsemi
vso007n04ms-g.pdf

VSO007N04MS-G40V/22A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 5.4 m VitoMOS TechnologyI D 22 A Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSO007N04MS-G SOP8 007N04M 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SRT04N016IL

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: