VSO009N06MS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSO009N06MS-G
Código: 009N06MG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 530 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VSO009N06MS-G
VSO009N06MS-G Datasheet (PDF)
vso009n06ms-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO009N06MS-G 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 15 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information V
vso009n06ms-ga.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO009N06MS-GA65V/15A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D 15 A Fast Switching and High Efficiency 100% Avalanche testSOP8Part ID Package Type Marking PackingVSO009N06MS-GA SOP8 009N06MG 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth
vso008n10ms.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO008N10MS 100V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part
vso007n04ms-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO007N04MS-G40V/22A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 5.4 m VitoMOS TechnologyI D 22 A Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSO007N04MS-G SOP8 007N04M 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .