VSO009N06MS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSO009N06MS-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VSO009N06MS-G

VSO009N06MS-G Datasheet (PDF)

..1. Size:792K cn vanguard
vso009n06ms-g.pdf

VSO009N06MS-G 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 15 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information V

0.1. Size:1876K cn vanguard
vso009n06ms-ga.pdf

VSO009N06MS-GA65V/15A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D 15 A Fast Switching and High Efficiency 100% Avalanche testSOP8Part ID Package Type Marking PackingVSO009N06MS-GA SOP8 009N06MG 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth

9.1. Size:799K cn vanguard
vso008n10ms.pdf

VSO008N10MS 100V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part

9.2. Size:957K cn vgsemi
vso007n04ms-g.pdf

VSO007N04MS-G40V/22A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 5.4 m VitoMOS TechnologyI D 22 A Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSO007N04MS-G SOP8 007N04M 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: