2SK295 Todos los transistores

 

2SK295 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK295
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.56 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK295 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  1
2sk294 2sk295.pdf pdf_icon

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 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
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2SK295

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK295FEATURESDrain Current : I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.56(Max) @V =15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

 0.1. Size:193K  1
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 0.2. Size:87K  1
2sk2958stl.pdf pdf_icon

2SK295

2SK2958(L), 2SK2958(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1058-0400 (Previous: ADE-208-568B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 5.5 m typ. 4 V gate drive devices. High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: LDPAK(L)) (Package name: LDPAK

Otros transistores... 2SK2897-01 , 2SK2907-01 , 2SK2908-01L , 2SK2908-01S , 2SK2918-01 , 2SK2923 , 2SK2924 , 2SK294 , AO3401 , 2SK3092D , 2SK3092I , 2SK3112-S , 2SK3112-ZJ , 2SK3113-Z , 2SK3124 , 2SK3127B , 2SK3127K .

History: SPC6604 | AP2314GN-HF | CSD16412Q5A

 

 
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