YTF250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YTF250
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 79 nC
   Tiempo de subida (tr): 50 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 920 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YTF250

YTF250 Datasheet (PDF)

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isc N-Channel MOSFET Transistor YTF250FEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.085(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

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9.2. Size:298K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor YTF251FEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.085(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

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Liste

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