SM4186T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4186T9RL
Código: 35N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.7 V
Carga de la puerta (Qg): 9 nC
Tiempo de subida (tr): 4.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4186T9RL
SM4186T9RL Datasheet (PDF)
sm4186t9rl.pdf
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SM4186T9RL40V /35A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /35A Single N Power MOSFET 35N04HGeneral Description 40 VV DS40V /35A Single N Power MOSFET 13.3 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 20.9 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 35 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
sm4184t9rl.pdf
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SM4184T9RL40V /50A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /50A Single N Power MOSFET 50N04HGeneral Description 40 VV DS40V /50A Single N Power MOSFET 4.9 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 6.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 50 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS
sm418t9rl.pdf
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SM418T9RL30V /36A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /36A Single N Power MOSFET 36N03HGeneral Description 30 VV DS30V /36A Single N Power MOSFET 7.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 12.1 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 36 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS
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