SM418T9RL Todos los transistores

 

SM418T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM418T9RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SM418T9RL Datasheet (PDF)

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SM418T9RL

SM418T9RL30V /36A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /36A Single N Power MOSFET 36N03HGeneral Description 30 VV DS30V /36A Single N Power MOSFET 7.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 12.1 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 36 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

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SM418T9RL

SM4184T9RL40V /50A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /50A Single N Power MOSFET 50N04HGeneral Description 40 VV DS40V /50A Single N Power MOSFET 4.9 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 6.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 50 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

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SM418T9RL

SM4186T9RL40V /35A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /35A Single N Power MOSFET 35N04HGeneral Description 40 VV DS40V /35A Single N Power MOSFET 13.3 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 20.9 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 35 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

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History: STD52P3LLH6 | PHD22NQ20T | VBZFB20N06

 

 
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