SM4480 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4480
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4480
SM4480 Datasheet (PDF)
sm4480.pdf
SM448040V N - Channel MOSFET Description 40V /10A Power MOSFETVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VPb-free lead plating; RoHS compliant40 VV DS8.8 mRDS(on),TYP@VGS=10V13.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.510 AID Ordering Information Ordering Number Pin AssignmentPackage Packing1 2 3 4 5 6 7Lead Free Halogen Free 8SM4480PR GSM4480PR L SOP-8 S
gsm4486.pdf
GSM4486 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4486, N-Channel enhancement mode 20V/9A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/7A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly
sm4485.pdf
SM4485-40V P - Channel MOSFET Description -40V /-10A Power MOSFETVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VPb-free lead plating; RoHS compliant-40 VV DS14.0 mRDS(on),TYP@VGS=10V22.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5-10 AID Ordering Information Ordering Number Pin AssignmentPackage Packing1 2 3 4 5 6 7Lead Free Halogen Free 8SM4485PR GSM4485PR L S
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Liste
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