SM4616PRL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4616PRL
   Código: 4616
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4616PRL

SM4616PRL Datasheet (PDF)

..1. Size:2018K cn sps
sm4616prl.pdf

SM4616PRLN+P Complementary Power MOSFET N channel P channel General Description 30 -30 VV DS0 14.0 23.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 18.0 23.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 10 23 AIDTape and reel Part ID Package Type Markinginfomation100% UIS TestedSM4616PRL SOP8 4616 3000Parameter Symbol Max N-chan

9.1. Size:795K cn sps
sm4614bprl.pdf

SM4614BPRL-40V /-6A Single P Power MOSFET C P04C P -40V /-6A Single P Power MOSFET 6P04CGeneral Description -40 VV DS-40V /-6A Single P Power MOSFET 44.1 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 69.3 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant -6 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test

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Liste

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