YTF630 Todos los transistores

 

YTF630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YTF630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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YTF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  inchange semiconductor
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YTF630

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF630FEATURESDrain Current : I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOLU

 9.1. Size:59K  1
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YTF630

 9.2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf631.pdf pdf_icon

YTF630

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF631FEATURESDrain Current : I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOLU

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History: DMT6004LPS | CS6N60F | PJA3430 | QM3403K | VBQA3316 | L1N60I

 

 
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