25NF20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 25NF20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de 25NF20 MOSFET
25NF20 Datasheet (PDF)
25nf20.pdf
25NF20www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
std25nf20.pdf
STD25NF20Automotive-grade N-channel 200 V, 0.10 typ., 18 A STripFET Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTD25NF20 200 V 0.125 18 A 110 WTAB Designed for automotive applications and 31 AEC-Q101 qualifiedDPAK Extremely low gate charge Exceptional dv/dt capability Low gate input resis
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History: FQB19N20C
History: FQB19N20C
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