25NF20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 25NF20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 25NF20
25NF20 Datasheet (PDF)
25nf20.pdf
25NF20www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
std25nf20.pdf
STD25NF20Automotive-grade N-channel 200 V, 0.10 typ., 18 A STripFET Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTD25NF20 200 V 0.125 18 A 110 WTAB Designed for automotive applications and 31 AEC-Q101 qualifiedDPAK Extremely low gate charge Exceptional dv/dt capability Low gate input resis
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