AP9435GK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9435GK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SOT223
Búsqueda de reemplazo de AP9435GK MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AP9435GK datasheet
ap9435gk.pdf
AP9435GK www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS Load
ap9435gk-hf.pdf
AP9435GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -6A S D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switchi
ap9435gm-hf.pdf
AP9435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 50m D Fast Switching ID -5.3A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic
ap9435gh ap9435gj.pdf
AP9435GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20A G S Description G D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H) achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-
Otros transistores... AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AON7403 , AP9435K , AP9563M , AP9579GM , AP9997GH , APM1110NUC , APM2054NDC , APM2300CAC , APM2301AC .
History: ELM32405LA | 2SJ360 | IXFM12N100 | FDMS3672 | SRC60R075BS
History: ELM32405LA | 2SJ360 | IXFM12N100 | FDMS3672 | SRC60R075BS
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509
