APM2317AC Todos los transistores

 

APM2317AC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM2317AC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de APM2317AC MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

APM2317AC datasheet

 ..1. Size:854K  cn vbsemi
 apm2317ac.pdf pdf_icon

APM2317AC

APM2317AC www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

 6.1. Size:650K  sino
 apm2317a.pdf pdf_icon

APM2317AC

APM2317A P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-4.5A , D RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5V S RDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V G RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Top View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Notebook Com

 7.1. Size:403K  shenzhen
 apm2317.pdf pdf_icon

APM2317AC

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd APM2317 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-4.5A , RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management

 8.1. Size:133K  anpec
 apm2318a.pdf pdf_icon

APM2317AC

APM2318A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/3A , D RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=40m (typ.) @ VGS=4.5V G RDS(ON)=60m (typ.) @ VGS=2.5V S Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... APM2300CAC , APM2301AC , APM2303AC , APM2305AC , APM2308AC , APM2309AC , APM2314AC , APM2315AC , 20N60 , APM2321AAC , APM2321AC , APM2323AAC , APM2701ACC-TRG , APM3009NUC , APM3040NDC , APM3054NUC , APM3055LUC .

History: JMSL1040PGDQ | JMSL1040AY | NUS5531MT | APM2314AC | TPM7002BKM | ZXMS6003G | STFU23N80K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.