FDW2601NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDW2601NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDW2601NZ

FDW2601NZ Datasheet (PDF)

..1. Size:842K cn vbsemi
fdw2601nz.pdf

FDW2601NZwww.VBsemi.twDual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = 10 V Available8.630RoHS*0.019 at VGS = 4.5 V 7.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT

9.1. Size:214K fairchild semi
fdw262p.pdf

July 2008 FDW262P 20V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is produced 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 47 m @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductors advancedRDS(ON) = 65 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process that has been especially tailored RDS(ON) = 100 m @ VGS = 1.8 V to

9.2. Size:151K fairchild semi
fdw264p.pdf

November 2003 FDW264P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 9.7 A, 20 V. RDS(ON) = 10.0 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 14.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power management applications wit

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: