FSS210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSS210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de FSS210 MOSFET
FSS210 Datasheet (PDF)
fss210.pdf

Ordering number:ENN6448N-Channel Silicon MOSFETFSS210DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2116[FSS210]8 51 : Source2 : Source14 3 : Source0.25.04 : Gate5 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SpecificationsSANYO : SOP8Absolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Co
fss210.pdf

FSS210www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Rectificat
fss212.pdf

Ordering number:ENN5933N-Channel Silicon MOSFETFSS212DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2116[FSS212]8 51 : Source2 : Source140.23 : Source5.04 : Gate5 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol C
fss216.pdf

Ordering number:ENN5934AN-Channel Silicon MOSFETFSS216DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm 4V drive.2116[FSS216]8 51 : Source2 : Source14 3 : Source0.25.04 : Gate5 : Drain6 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SpecificationsSANYO : SOP8Absolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol C
Otros transistores... FQD20N06LE , FQU13N06 , FQU13N10 , FR120N , FR2307Z , FR5305 , FR5505 , FR9N20D , 50N06 , FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A .
History: SRC11N65TC | SML4080AN | NCEP85T14D
History: SRC11N65TC | SML4080AN | NCEP85T14D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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