IRF7343QTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7343QTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7343QTR

IRF7343QTR Datasheet (PDF)

..1. Size:3361K cn vbsemi
irf7343qtr.pdf

IRF7343QTRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VG

6.1. Size:225K 1
auirf7343q.pdf

PD - 96343BAUTOMOTIVE MOSFETAUIRF7343QHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Planar TechnologyN-Ch P-ChN-CHANNEL MOSFET1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFETV(BR)DSS55V -55V2 7G1 D1l Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS2 D2RDS(on) typ.0.043 0.095l 150C Operating Temperature45G2 D2l Automotive [Q101] Qualif

6.2. Size:238K international rectifier
irf7343qpbf.pdf

PD - 96110IRF7343QPBFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1l Ultra Low On-Resistance 8S1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface MountVDSS 55V -55V3 6l Available in Tape & Reel S2 D2l 150C Operating Temperature45G2 D2l Automotive [Q101] QualifiedP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.050 0.105l Lead-FreeTo

6.3. Size:323K infineon
auirf7343q.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7343Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 55V -55V Ultra Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.043 0.0953 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.050 0.10545G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 4.7A -3.4A Availabl

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: