IRF7468TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7468TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 33 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7468TR
IRF7468TR Datasheet (PDF)
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IRF7468TRwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Rectifi
irf7468pbf.pdf
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