IRF7468TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7468TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7468TR

IRF7468TR Datasheet (PDF)

..1. Size:843K cn vbsemi
irf7468tr.pdf

IRF7468TRwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Rectifi

7.1. Size:126K international rectifier
irf7468pbf.pdf

PD - 95344IRF7468PbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsl High Frequency Isolated DC-DCVDSS RDS(on) max(mW) ID Converters with Synchronous Rectification40V 15.5@VGS = 10V 9.4A for Telecom and Industrial Usel High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeAA1 8S D2 7Benefits S D3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G Dl V

7.2. Size:232K international rectifier
irf7468.pdf

PD - 93914DIRF7468SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplications)VDSS RDS(on) max(m) ID))) High Frequency Isolated DC-DC40V 15.5@VGS = 10V 9.4A Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerAA1 8S DBenefits2 7S D Ultra-Low Gate Impedance3 6S D Ver

7.3. Size:126K infineon
irf7468pbf.pdf

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Liste

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