IRFR1205TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR1205TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR1205TR

IRFR1205TR Datasheet (PDF)

..1. Size:797K cn vbsemi
irfr1205tr.pdf

IRFR1205TRwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise no

6.1. Size:144K international rectifier
irfr1205.pdf

PD - 91318BIRFR/U1205HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD Surface Mount (IRFR1205)VDSS = 55V Straight Lead (IRFU1205) Fast SwitchingRDS(on) = 0.027 Fully Avalanche RatedGDescriptionID = 44A SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistance per silicon area. This

6.2. Size:393K international rectifier
irfr1205pbf irfu1205pbf.pdf

PD - 95600AIRFR/U1205PbF Lead-Freewww.irf.com 112/9/04IRFR/U1205PbF2 www.irf.comIRFR/U1205PbFwww.irf.com 3IRFR/U1205PbF4 www.irf.comIRFR/U1205PbFwww.irf.com 5IRFR/U1205PbF6 www.irf.comIRFR/U1205PbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage InductanceCurrent Tr

6.3. Size:394K infineon
irfr1205pbf irfu1205pbf.pdf

6.4. Size:241K inchange semiconductor
irfr1205.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR1205, IIRFR1205FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)27mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: