IRFR13N20DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR13N20DTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 34 nC
   Tiempo de subida (tr): 50 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR13N20DTR

IRFR13N20DTR Datasheet (PDF)

..1. Size:2455K cn vbsemi
irfr13n20dtr.pdf

IRFR13N20DTRwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

4.1. Size:181K international rectifier
irfr13n20d.pdf

PD- 93814AIRFR13N20DSMPS MOSFET IRFU13N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.235 13ABenefits Low Gate to Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)D-Pak I-Pak Fully Characterized Avalanche VoltageIRFR13N20D IRF

4.2. Size:684K international rectifier
irfr13n20dpbf irfu13n20dpbf.pdf

PD-95354ASMPS MOSFETIRFR13N20DPbFIRFU13N20DPbF Lead-Freewww.irf.com 11/17/05IRFR/U13N20DPbF2 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 3IRFR/U13N20DPbF4 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 5IRFR/U13N20DPbF6 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 7IRFR/U13N20DPbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (T

4.3. Size:684K infineon
irfr13n20dpbf irfu13n20dpbf.pdf

4.4. Size:242K inchange semiconductor
irfr13n20d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR13N20D, IIRFR13N20DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)235mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: