IRFR9010TR Todos los transistores

 

IRFR9010TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR9010TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR9010TR

 

IRFR9010TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1473K  cn vbsemi
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IRFR9010TRwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Sy

 6.2. Size:247K  vishay
irfr9010pbf.pdf

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IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface Mountable (Order as IRFR9010,VDS (V) - 50 SiHFR9010) Straight Lead Option (Order as IRFU9010,RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50SiHFU9010)Qg (Max.) (nC) 9.1 Repetitive Avalanche Ratings Qgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt Rating Simple Drive Requiremen

 6.3. Size:1365K  vishay
irfr9010 irfu9010 sihfr9010 sihfu9010.pdf

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IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 50 Surface Mountable (Order as IRFR9010, SiHFR9010)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Straight Lead Option (Order as IRFU9010, SiHFU9010) Repetitive Avalanche Ratings Qg (Max.) (nC) 9.1 Dynamic dV/dt RatingQ

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