IRLL014NTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLL014NTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLL014NTR

IRLL014NTR Datasheet (PDF)

..1. Size:2289K cn vbsemi
irll014ntr.pdf

IRLL014NTRwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

6.1. Size:158K international rectifier
irll014n.pdf

PD- 91499BIRLL014NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.14 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 2.0ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area.

6.2. Size:261K international rectifier
irll014npbf.pdf

PD- 95154IRLL014NPbF l Surface Mountl Advanced Process Technology D DSS l Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Rating DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free D SDescription

6.3. Size:548K international rectifier
auirll014n.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL014N HEXFET Power MOSFET Features VDSS Advanced Planar Technology 55V Low On-Resistance RDS(on) max. Logic Level Gate Drive 0.14 Dynamic dv/dt Rating ID 150C Operating Temperature 2.0A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant

6.4. Size:261K infineon
irll014npbf.pdf

PD- 95154IRLL014NPbF l Surface Mountl Advanced Process Technology D DSS l Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Rating DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free D SDescription

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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