IRLML6344TR Todos los transistores

 

IRLML6344TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLML6344TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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IRLML6344TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  international rectifier
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IRLML6344TR

IRLML6344TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VG 1VGS Max 12 VRDS(on) max 3 D29 m(@VGS = 4.5V)S 2Micro3TM (SOT-23)RDS(on) max 37 m IRLML6344TRPbF(@VGS = 2.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsLow RDSon (

 ..2. Size:837K  cn vbsemi
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IRLML6344TR

IRLML6344TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

 5.1. Size:221K  international rectifier
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IRLML6344TR

IRLML6344TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VG 1VGS Max 12 VRDS(on) max 3 D29 m(@VGS = 4.5V)S 2Micro3TM (SOT-23)RDS(on) max 37 m IRLML6344TRPbF(@VGS = 2.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsLow RDSon (

 5.2. Size:145K  tysemi
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IRLML6344TR

Product specificationIRLML6344TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VG 1VGS Max 12 VRDS(on) max 3 D29 m(@VGS = 4.5V)S 2Micro3TM (SOT-23)RDS(on) max 37 m IRLML6344TRPbF(@VGS = 2.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsLow RDSon (

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History: KI001PW | APT5017BLC | TK100E10N1

 

 
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