SI2305A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2305A
Código: A50T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.38 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.5(min) V
Carga de la puerta (Qg): 10.6 nC
Tiempo de subida (tr): 3.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 167 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2305A
SI2305A Datasheet (PDF)
si2305a.pdf
R UMW SI2305AUMW SI2305AUMWP-Channel MOSFETSOT23 Features VDS (V) = -20V RDS(ON)0.065 (VGS = -4.5V) RDS(ON)0.100 (VGS = -2.5V) RDS(ON)0.250 (VGS = -1.8V)1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKINGD A50TG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-source voltage VG
si2305ad.pdf
New ProductSi2305ADSVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv
si2305ads.pdf
New ProductSi2305ADSVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv
si2305ads-t1-ge3.pdf
SI2305ADS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
