SI2305A Todos los transistores

 

SI2305A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI2305A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI2305A datasheet

 ..1. Size:415K  umw-ic
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SI2305A

R UMW SI2305A UMW SI2305A UMW P-Channel MOSFET SOT 23 Features VDS (V) = -20V RDS(ON) 0.065 (VGS = -4.5V) RDS(ON) 0.100 (VGS = -2.5V) RDS(ON) 0.250 (VGS = -1.8V) 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKING D A50T G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-source voltage VG

 0.1. Size:201K  vishay
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SI2305A

New Product Si2305ADS Vishay Siliconix P-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested 0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0 APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 0.2. Size:204K  vishay
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SI2305A

New Product Si2305ADS Vishay Siliconix P-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested 0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0 APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

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 si2305ads-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI2305A

SI2305ADS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICA

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History: STW33N60DM2 | IRF623FI | GPT09N50D | AP4920GM-HF | STD4NK80Z | AO4458 | 2SK1685

 

 

 

 

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