FDA28N50F Todos los transistores

 

FDA28N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA28N50F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 310 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 28 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 105 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.175 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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FDA28N50F Datasheet (PDF)

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November 2008 UniFETTM FDA28N50F N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175? Features Description RDS(on) = 0.140? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchilds proprietary, planar Low Gate Charge ( Typ. 80nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 38pF) This advance technology has been especially tailored t

2.1. fda28n50.pdf Size:693K _fairchild_semi

FDA28N50F
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August 2008 UniFETTM FDA28N50 N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.155? Features Description RDS(on) = 0.122? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 80nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 42pF) This advance technology has been especially tailored to

 

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