PCJ3139K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PCJ3139K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: SOT723
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PCJ3139K datasheet
Otros transistores... STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , IRFP250 , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 .
History: AP4569GM | HY3810PM | SM1102PSF | SI1028X | SVT078R0ND | SM4504NHKP | 2SK2957L
History: AP4569GM | HY3810PM | SM1102PSF | SI1028X | SVT078R0ND | SM4504NHKP | 2SK2957L
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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