TPDMP2160UW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPDMP2160UW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT323
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TPDMP2160UW datasheet
tpdmp2160uw.pdf
TPDMP21 6 0UW P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering Information Part Number Qty per Reel Reel Size TPDMP2160UW 3000 7 D S G SOT-323 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C
Otros transistores... PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , STF13NM60N , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , TPM1013ER3 , TPM2008EP3 , TPM2008EP3-A , TPM2008P3 , TPM2009EP3 , TPM2019-3 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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