TPM2008EP3-A Todos los transistores

 

TPM2008EP3-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPM2008EP3-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
     - Selección de transistores por parámetros

 

TPM2008EP3-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  cn tech public
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TPM2008EP3-A

TPM2008 EP3-AN-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TWApplication Features Load/Power Switching Surface Mount Packagewww.sot23.com.tw Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive www.sot23.com.twElectronics ESD Protectedwww.sot23.com.tw Logic Level Shift

 4.1. Size:1699K  cn tech public
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TPM2008EP3-A

 7.1. Size:798K  cn tech public
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TPM2008EP3-A

TPM2008 P3N-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TWApplication Features Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive Electronics ESD Protected Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram Circ

 8.1. Size:806K  cn tech public
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TPM2008EP3-A

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History: MEE7816AS-G | SVSP14N60TD2 | IXTU2N80P

 

 
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