TPM7002ER3 Todos los transistores

 

TPM7002ER3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPM7002ER3
   Código: K72
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
     - Selección de transistores por parámetros

 

TPM7002ER3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn tech public
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TPM7002ER3

TPM7002DFN360V N-Channel Mosfetwww.sot23.com.twProduct Summary Application V 60V DS Load/Power Switching I 340mA D Interfacing Switching R ( at V =10V) 2.5ohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.0ohm Battery Management for Ultra Small Portable DS(ON) GSElectronics Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram D

 7.2. Size:1532K  cn tech public
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TPM7002ER3

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