TPM7002ER3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPM7002ER3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de TPM7002ER3 MOSFET
TPM7002ER3 Datasheet (PDF)
tpm7002dfn3.pdf
TPM7002DFN360V N-Channel Mosfetwww.sot23.com.twProduct Summary Application V 60V DS Load/Power Switching I 340mA D Interfacing Switching R ( at V =10V) 2.5ohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.0ohm Battery Management for Ultra Small Portable DS(ON) GSElectronics Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram D
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History: BSC019N04NS | AP15N03GJ | UT3310 | JCS4N70B | SVGP159R3NL5TR | 2SK3822K | UT3409
History: BSC019N04NS | AP15N03GJ | UT3310 | JCS4N70B | SVGP159R3NL5TR | 2SK3822K | UT3409
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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