TPNTA4153NT1G Todos los transistores

TPNTA4153NT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPNTA4153NT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SOT523

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros