K2543 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: K2543
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET K2543

K2543 Datasheet (PDF)

..1. Size:985K cn vbsemi
k2543.pdf

K2543www.VBsemi.twN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6843 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)22Qgd (nC)Configuration

0.1. Size:409K toshiba
2sk2543.pdf

2SK2543 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2543 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.75 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 7.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS DMa

0.2. Size:259K inchange semiconductor
2sk2543.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2543FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.85Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: