NTR0202PLT1G Todos los transistores

 

NTR0202PLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTR0202PLT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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NTR0202PLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:867K  cn vbsemi
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NTR0202PLT1G

NTR0202PLT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

 3.1. Size:141K  onsemi
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NTR0202PLT1G

NTR0202PLPower MOSFET-20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 PackageFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery LifeRDSon = 0.80 W, VGS = -10 V V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAXRDSon = 1.10 W, VGS = -4.5 V-20 V 550 mW @ -10 V -400 mA Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space Pb-Free Packages are AvailableP-ChannelDA

 5.1. Size:93K  onsemi
 ntr0202pl nvtr0202pl.pdf pdf_icon

NTR0202PLT1G

NTR0202PL, NVTR0202PLPower MOSFET-20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 PackageFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery LifeRDSon = 0.80 W, VGS = -10 VV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAXRDSon = 1.10 W, VGS = -4.5 V-20 V 550 mW @ -10 V -400 mA Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space NVT Prefix for Automotive and Other A

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History: IPP015N04N

 

 
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