P120NF10 Todos los transistores

 

P120NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P120NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.127(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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P120NF10 Datasheet (PDF)

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P120NF10

P120NF10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.092 at VGS = 10 V10018COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MA

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P120NF10

STB120NF10T4, STP120NF10, STW120NF10 N-channel 100 V, 9.0 m typ., 110 A STripFET II Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data TABFeatures Order code V R max. I DS DS(on) DSTB120NF10T4 STP120NF10 100 V 10.5 m 110 A D2PAKTAB STW120NF10 Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested 3 Low gate charge 3

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P120NF10

STP120NF10, STB120NF10STF120NF10, STW120NF10N-channel 100 V, 0.009 , 110 A STripFET II Power MOSFETin TO-247, TO-220, DPAK, TO-220FPFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTW120NF10 110 A31STP120NF10 110 A100V

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P120NF10

STP120NF10, STB120NF10STF120NF10, STW120NF10N-channel 100 V, 0.009 , 110 A STripFET II Power MOSFETin TO-247, TO-220, DPAK, TO-220FPFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTW120NF10 110 A31STP120NF10 110 A100V

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History: NCE1503S | NTD24N06LT4G

 

 
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