RSS100N03T Todos los transistores

 

RSS100N03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSS100N03T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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RSS100N03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  cn vbsemi
 rss100n03t.pdf pdf_icon

RSS100N03T

RSS100N03Twww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

 0.1. Size:58K  rohm
 rss100n03fu6tb rss100n03tb.pdf pdf_icon

RSS100N03T

RSS100N03 Transistor Switching (30V, 10A) RSS100N03 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. SOP85.00.22) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 0.20.1 Applications (1)Source(2)SourcePower switching, DC/DC converter. (3)Source(4)Gate0.40.11.27(5)Drain0.1(6)DrainEach lead has same dim

 9.1. Size:58K  rohm
 rss105n03fu6tb rss105n03tb.pdf pdf_icon

RSS100N03T

RSS105N03 Transistor Switching (30V, 10.5A) RSS105N03 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. SOP85.00.22) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 0.20.1 Applications (1)Source(2)SourcePower switching, DC/DC converter. (3)Source(4)Gate0.40.11.27(5)Drain0.1(6)DrainEach lead has same d

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History: WML10N80D1 | WMM05N100C2

 

 
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