SI2305ADS-T1-GE3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2305ADS-T1-GE3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm
Encapsulados: SOT23
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SI2305ADS-T1-GE3 datasheet
si2305ads-t1-ge3.pdf
SI2305ADS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICA
si2305ads.pdf
New Product Si2305ADS Vishay Siliconix P-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested 0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0 APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv
si2305ad.pdf
New Product Si2305ADS Vishay Siliconix P-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested 0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0 APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv
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History: KI2305DS | AP50T10AGI-HF
History: KI2305DS | AP50T10AGI-HF
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