SI2305ADS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2305ADS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:866K cn vbsemi
si2305ads-t1-ge3.pdf

SI2305ADS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

5.1. Size:204K vishay
si2305ads.pdf

New ProductSi2305ADSVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

6.1. Size:201K vishay
si2305ad.pdf

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