SI2335DS-T1 Todos los transistores

 

SI2335DS-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2335DS-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SI2335DS-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  cn vbsemi
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SI2335DS-T1

SI2335DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT

 5.1. Size:1625K  kexin
 si2335ds-3.pdf pdf_icon

SI2335DS-T1

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.1 Features0.4-0.13 VDS (V) =-12V ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V)1.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drai

 6.1. Size:181K  vishay
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SI2335DS-T1

Si2335DSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.051 at VGS = - 4.5 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.070 at VGS = - 2.5 V - 12 - 3.50.106 at VGS = - 1.8 V - 3.0TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2335DS (E5)**Marking CodeOrde

 6.2. Size:1573K  kexin
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SI2335DS-T1

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23Unit: mm+0.1 Features 2.9-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-12V3 ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)1 2+0.10.95-0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V) 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Abso

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History: JCS15N60SH | SMG2390N | BRD50P06 | IRLMS6802PBF | WVM3N10 | 20N50B

 

 
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