SI4405DY-T1 Todos los transistores

 

SI4405DY-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4405DY-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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SI4405DY-T1 datasheet

 ..1. Size:850K  cn vbsemi
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SI4405DY-T1

SI4405DY-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7

 9.1. Size:224K  vishay
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SI4405DY-T1

 9.2. Size:225K  vishay
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SI4405DY-T1

Si4403BDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2 SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D G G

 9.3. Size:255K  vishay
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SI4405DY-T1

Si4409DY Vishay Siliconix P-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 1.2 at VGS = - 10 V - 1.3 TrenchFET Power MOSFET - 150 4.8 nC 100 % UIS Tested 1.3 at VGS = - 6 V - 1.2 APPLICATIONS Active Clamp Switch Isolated DC/DC Converters S SO-8 S 1 8 D

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