SI6423DQ-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI6423DQ-T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6423DQ-T1
SI6423DQ-T1 Datasheet (PDF)
si6423dq-t1.pdf
SI6423DQ-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = - 4.5 V Available- 9.0RoHS*0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8COMPLIANT0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0S*TSSOP-8 GD D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7 S S 3
si6423dq.pdf
Si6423DQVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.0085 at VGS = - 4.5 V - 9.5RoHS0.0106 at VGS = - 2.5 V - 12 - 8.5COMPLIANTAPPLICATIONS0.014 at VGS = - 1.8 V - 7.5 Load SwitchS*GTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S
si6426dq.pdf
Si6426DQN-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.035 @ VGS = 4.5 V "5.420200.04 @ VGS = 2.5 V "4.9DTSSOP-81 8D DDS 2 7 SSi6426DQ GS 3 6 SG 4 5 D*Source Pins 2, 3, 6, and 7Top Viewmust be tied common.S*N-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sour
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