STU405DH Todos los transistores

 

STU405DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU405DH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: TO252-4L

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STU405DH datasheet

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STU405DH

Green Product S TU405DH S amHop Microelectronics C orp. Nov,20 2007 ver1.0 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 33 @ VG S = 10V 45 @ VG S = -10V -40V - 9A 40V 11A 45 @ VG S = 4.5V 65 @ VG S = -4.5V D2 D1 D1/D2 S 1 G2

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STU405DH

STD40N2LH5 STU40N2LH5 N-channel 25 V, 0.01 , 40 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD40N2LH5 25 V 0.0118 40 A STU40N2LH5 25 V 0.0124 40 A 3 3 2 RDS(on) * Qg industry benchmark 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) DPAK IPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power l

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stu407d.pdf pdf_icon

STU405DH

S T U407D S amHop Microelectronics C orp. J uly 27 2006 ver1.1 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P P R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel) V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max 30 @ VG S = 10V 48 @ V G S = -10V -40V -12A 40V 16A 40 @ V G S = 4.5V 65 @ V G S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G

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STU405DH

Green Product STU408D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 27 @ VGS=10V 37 @ VGS=-10V 40V 14A -40V -12A 41 @ VGS=4.5V 60 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch TO-252-4L (

Otros transistores... FDB031N08 , FDB035AN06A0 , FDB035N10A , STU407D , FDB039N06 , FDB045AN08A0 , FDB045AN08A0F085 , FDB047N10 , AO3400 , FDB050AN06A0 , FDB060AN08A0 , FDB070AN06A0 , FDB075N15A , FDB082N15A , FDB088N08 , FDB110N15A , FDB120N10 .

History: FDB045AN08A0

 

 

 


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