SIR422DP-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIR422DP-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 975 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:874K cn vbsemi
sir422dp-t1-ge3.pdf

SIR422DP-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0050 at VGS = 10 V 70APPLICATIONS40 67 nC0.0060 at VGS = 4.5 V 65 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOS

6.1. Size:491K vishay
sir422dp.pdf

SiR422DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0066 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET4040 16.1 nC 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATION

6.2. Size:2267K kexin
sir422dp.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSIR422DP (KIR422DP) SO-8 (DFN5X6)PowerPAK Features VDS (V) = 40V ID = 40 A (VGS = 10V)S6.15 mm 5.15 mm1S RDS(ON) 7.5 m (VGS = 10V)2S3G RDS(ON) 9 m (VGS = 4.5V)D4D8D7D6D5GBottom ViewS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: