SM4307PSKPC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4307PSKPC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4307PSKPC

SM4307PSKPC Datasheet (PDF)

..1. Size:898K cn vbsemi
sm4307pskpc.pdf

SM4307PSKPCwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switchVDS (V) RDS(on) () Max. applicationsID a Qg (Typ.) Extremely low RDS(on)0.0080 at VGS = - 10 V - 60 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.0090 at VGS = - 6 V - 53 66 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0012 at VGS = - 4.5 V - 50 Typical ESD

4.1. Size:291K sino
sm4307pskp.pdf

SM4307PSKP P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -30V/-34A,DDRDS(ON) = 18m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 30m (max.) @ VGS =-4.5VGSPin 1 Reliable and Rugged SS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Pow

5.1. Size:263K sino
sm4307psk.pdf

SM4307PSK P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD -30V/-11A,DRDS(ON) = 18m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 30m (max.) @ VGS =-4.5VSS Reliable and Rugged SG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Po

5.2. Size:827K cn vbsemi
sm4307pskc-trg.pdf

SM4307PSKC-TRGwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Deskt

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Liste

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