SUD08P06-155L-E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUD08P06-155L-E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD08P06-155L-E3

SUD08P06-155L-E3 Datasheet (PDF)

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SUD08P06-155L-GE3www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESDPAK (TO-252)DPAK ( TrenchFET power MOSFETs Material categorization:Drain connected to tabfor definitions of compliance pleasesee www.vishay.com/doc?99912SSDGGTop ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) -60RDS(on) max. () at VGS = -10 V 0.155DRDS(on) max. () at VGS =

0.2. Size:829K cn vbsemi
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SUD08P06-155L-E3www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParame

1.1. Size:79K vishay
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New ProductSUD08P06-155LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Rated Maximum Junction TemperatureRoHS0.155 at VGS = - 10 V - 8.4- 60 12.5 COMPLIANT0.280 at VGS = - 4.5 V - 7.4STO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information:

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