VB2140 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB2140
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de VB2140 MOSFET
VB2140 Datasheet (PDF)
vb2140.pdf
VB2140www.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.033 at VGS = - 10 V - 6e TrenchFET Power MOSFET- 20 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6e 10 nC 100 % Rg Tested0.068 at VGS = - 2.5 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSTO-236(SO
Otros transistores... UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , AON6414A , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 .
History: AP65SL130AWL | TSM4435BCS | NVMFS6H848N | AP85T10AGI-HF | AO6801 | STP80N70F4 | HMS15N65I
History: AP65SL130AWL | TSM4435BCS | NVMFS6H848N | AP85T10AGI-HF | AO6801 | STP80N70F4 | HMS15N65I
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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