VB2140 Todos los transistores

 

VB2140 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB2140
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VB2140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  cn vbsemi
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VB2140

VB2140www.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.033 at VGS = - 10 V - 6e TrenchFET Power MOSFET- 20 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6e 10 nC 100 % Rg Tested0.068 at VGS = - 2.5 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSTO-236(SO

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History: STS11N3LLH5 | NCEP02590 | APQ50SN06A | SQM120P04-04L | IPI60R190C6 | NCE40H11 | SFF9130Z

 

 
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