VBA4317 Todos los transistores

 

VBA4317 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA4317
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBA4317 Datasheet (PDF)

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VBA4317www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G1

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VBA4317

VBA4311www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) (), ID (A)d, e Qg (Typ.)Typ. TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 12 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.013 at VGS = - 4.5 V - 10APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCs- Game StationsS1 S2SO-8S1 1 D1

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VBA4317

VBA4338www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vie

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History: PSMN3R8-100BS | 2SK3502-01MR | 2SJ380 | 2SJ195 | H6968CTS | NCEP008N30GU | SPP80N06S2L-07

 

 
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