TSF16N50MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSF16N50MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSF16N50MR

TSF16N50MR Datasheet (PDF)

..1. Size:916K truesemi
tsf16n50mr.pdf

TSF16N50MR500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 16.0A,500V,Max.RDS(on)=0.4 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 32nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withs

8.1. Size:777K truesemi
tsf16n65mr.pdf

TSF16N65MR 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 16A,650V,Max.RDS(on)=0.52 @ =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to VGS minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge(typical 50nC)performance, and withstand high e

8.2. Size:712K truesemi
tsf16n60mr.pdf

TSF16N60MR 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 16A,600V,Max.RDS(on)=0.47 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 50nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a

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Liste

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