TSF18N20M Todos los transistores

 

TSF18N20M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSF18N20M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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TSF18N20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  truesemi
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TSF18N20M

TSF18N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 18A,200V,Max.RDS(on)=0.17 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 22nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance,

 8.1. Size:896K  truesemi
 tsf18n60mr.pdf pdf_icon

TSF18N20M

TSF18N60MR600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 18A,600V,Max.RDS(on)=0.45 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 50nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

 8.2. Size:970K  truesemi
 tsf18n50mr.pdf pdf_icon

TSF18N20M

TSF18N50MR500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 18.0A,500V,Max.RDS(on)=0.32 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and with

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History: PE898BA | CXDM4060P

 

 
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