STU408D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU408D 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: TO252-4L
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STU408D datasheet
stu408d.pdf
Green Product STU408D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 27 @ VGS=10V 37 @ VGS=-10V 40V 14A -40V -12A 41 @ VGS=4.5V 60 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch TO-252-4L (
std40n2lh5 stu40n2lh5.pdf
STD40N2LH5 STU40N2LH5 N-channel 25 V, 0.01 , 40 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD40N2LH5 25 V 0.0118 40 A STU40N2LH5 25 V 0.0124 40 A 3 3 2 RDS(on) * Qg industry benchmark 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) DPAK IPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power l
stu407d.pdf
S T U407D S amHop Microelectronics C orp. J uly 27 2006 ver1.1 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P P R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel) V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max 30 @ VG S = 10V 48 @ V G S = -10V -40V -12A 40V 16A 40 @ V G S = 4.5V 65 @ V G S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G
stu404d.pdf
Green Product STU404D SamHop Microelectronics Corp. Sep 14 2006 ver1.1 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-Channel) (P-Channel) PRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max 30 @ VGS = 10V 48 @ VGS = -10V -40V -12A 40V 16A 40 @ VGS = 4.5V 65 @ VGS = -4.5V D2 D1 D1/D2 S1 G2 G1 G1 S2 S2 S1 P-ch N-
Otros transistores... STU407DH, FDB12N50F, FDB12N50TM, FDB12N50U, FDB13AN06A0, FDB14AN06LA0F085, FDB14N30, FDB150N10, IRF9540N, FDB15N50, FDB2532, FDB2532F085, FDB2552, FDB2572, FDB2614, STU409DH, FDB2710
History: BSC014N04LSI | BSC014N06NS | BSC014N03LS | BSC016N03MS
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A
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