YJL3139KT Todos los transistores

 

YJL3139KT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJL3139KT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723
 

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YJL3139KT Datasheet (PDF)

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YJL3139KT

RoHS COMPLIANT YJL3139KT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed swi

 6.1. Size:850K  cn yangzhou yangjie elec
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YJL3139KT

RoHS COMPLIANT YJL3139KDW P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed sw

 8.1. Size:844K  cn yangzhou yangjie elec
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YJL3139KT

RoHS COMPLIANT YJL3134KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20 V DS I 0.75 A D R ( at V =4.5V) 260 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 360 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PW

 8.2. Size:423K  cn yangzhou yangjie elec
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YJL3139KT

RoHS COMPLIANT YJL3134K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 0.9A D R ( at V =4.5V) 250 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 350 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications Interf

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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