CSD88537ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSD88537ND
Código: 88537N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 133 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
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CSD88537ND Datasheet (PDF)
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCSD882TO126 Plastic PackageECBComplementary CSB772Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >40
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